碳化硅微粉常用加热氧化法除碳
文章出处：金岭环保点击率：发布时间：17-08-12
我们通过对碳化硅微粉进行高温煅烧，使碳化硅微粉中的游离碳及石墨与空气中的氧气反应，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脱离碳化硅，从而实现了除碳的目的。
我公司利用高温煅烧出去碳化硅微粉中的碳杂质。该方法的最佳工艺条件为煅烧温度为900℃，煅烧时间为3小时，碳化硅内部的碳杂质得到了完全去除。
我们以空气为氧化介质进行碳化硅微粉与碳杂质的分离，实验结果表明：当氧化温度在450-560℃之间，氧化时间在4小时，杂志碳的去除率可以达到98.6%-99.2%。
通过实验分析可知，在一定的温度及时间范围内，加热氧化法对碳化硅微粉中的碳杂质去除率可达98%，但由于粒径为微粉级的碳化硅表面积大，如果加热温度过高，易造成碳化硅微粉的表面氧化，形成的氧化薄膜二氧化硅可能将碳微粉包裹，从而不利于碳杂质的去除。
上一个： 绿碳化硅需高纯度原材料生产
